美光上海內存設計團隊解散，推動核心人員移民美國，業內消息指出，美光科技正解散上海研發中心一個150人左右規模的團隊，美光上海內存設計團隊解散，推動核心人員移民美國。
美光上海內存設計團隊解散，推動核心人員移民美國1
集微網消息，1月25日，業內有消息指出，美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心，並挑選了40多位核心研發人員提供移民技術美國的資格。
針對上述消息，集微網在向多位美光前員工與在職員工求證後獲悉，美光此次並非解散整個上海研發中心，而是僅僅解散了DRAM設計部門，該部門總人數超過100人。除了該團隊，美光上海研發中心還包括銷售、測試等多個部門。另外，美光目前在西安的工廠也不會發生其他異動，該廠主要開展集成電路裝配與測試以及DRAM模塊製造。
美光員工告訴集微網，上海的DRAM設計團隊的解散將於今年內完成，公司提供技術移民美國資格的消息屬實，部分核心員工將可以攜帶家屬一同移民至美國，目前仍無法確定有多少員工會選擇移民。
據一位前美光員工透露，美光的DRAM設計團隊此前有一大波人員流失至國內的本土IC設計公司和存儲大廠。
某半導體行業高管評論稱，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出於防止技術外泄的考慮，雖然目前國內的DRAM企業數量相對較少，但未來幾年內或有可能涌現出新的幾家DRAM製造商，而且現有的DRAM企業也正求賢若渴，美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。
該行業高管還指出，美光對知識產權保護的重視程度由來已久，此前美光就曾因商業機密泄露將聯電告上法庭。不過在2021年11月26日，美光與聯電共同宣佈達成全球和解協議，將各自撤回向對方提出的訴訟，聯電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方在聲明中均稱，期待未來達成共同的商業合作機會。
美光在該知識產權訴訟結束時就曾強調，知識產權保護是美光賴以保持競爭力的重要基石。
市場調研公司Counterpoint報告顯示，三星以41.5%的市場份額居市場首位，SK 海力士市佔率29.3%排第二，美光則爲23.4%居第三，前三大廠合計攻佔DRAM市場94.2%。
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據《集微網》25日報道，業內消息指出，美光科技正解散上海研發中心一個150人左右規模的團隊，並挑選了40多名核心研發人員，提供技術移民美國的資格。美光26日證實正進行人事調整，但未提及原因，強調人事調整隻針對上海研發中心的DRAM設計部門，其他團隊不會受到影響。
《集微網》在報道中指出，經過向多名美光在職員工求證之後獲悉，美光此次並非解散整個上海研發中心，而是隻解散了DRAM設計部門，該部門總人數超過100人。
報道提到，上海研發中心的括銷售、測試等多個部門並沒有受到影響，同時，美光目前在西安的工廠也無任何異動。
美光的'員工透露，上海的DRAM設計團隊的解散將於今年內完成，公司提供技術移民美國資格的消息屬實，部分核心員工將可以攜帶家屬一同移民至美國，目前仍無法確定有多少員工會選擇移民。
一名半導體業內高管認爲，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出於防止技術外泄的考慮，雖然目前中國大陸的DRAM企業數量相對較少，但未來幾年內或有可能涌現出新的幾家DRAM製造商，而且現有的DRAM企業也正求賢若渴，美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。
美光26日證實正進行人事調整，但未提及背後原因，強調人事調整隻針對上海研發中心的DRAM設計部門，其他團隊的成員不會受到影響，預計相關過渡工作會在今年12 月前完成。
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近日業內傳出消息稱，美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心，並挑選40多位核心研發人員提供技術移民美國的資格。
有業界人士分析稱，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出於防止技術外泄的考慮，並將產品的設計和研發收攏至大陸以外的地區。
對此，美光 迴應，這次人事調整僅針對該設計中心的 DRAM 設計部門，約有百餘名員工受到影響。
報導指出，多位美光前員工與在職員工表示，美光此次並非解散整個上海研發中心，僅僅解散DRAM設計部門，該部門總人數超過100人。
通過美光員工證實，上海DRAM設計團隊將在今年內完成解散，公司提供技術移民美國資格的消息屬實，部分核心員工將可攜帶家屬一同移民美國，但目前無法確定有多少員工會選擇移民。
一名美光前員工透露：“美光的DRAM設計團隊此前有一大波人員流失至國內的本土IC設計公司和存儲大廠。”
因此，有半導體行業內人士分析，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出於防止技術外泄的考慮，雖然目前國內的DRAM企業數量相對較少，但未來幾年有可能涌現出新的幾家DRAM製造商，且現有DRAM企業也正求才若渴，美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。加上美光十分重視知識產權保護，因此有可能提前進行部署。
值得一提的是，此前美光就曾以專利侵權及竊取商業機密爲由起訴了聯電和福建晉華。
2016 年5 月，聯電與福建晉華簽署了合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體（DRAM） 製程。協議中所開發的DRAM 製程並非最新技術，而是與2012 年已用於量產技術相似的舊技術。
然而，有3 位參與DRAM 合作案的臺灣美光前員工，卻違反與聯電簽訂的僱傭合約與聲明書，攜帶前公司信息進入聯電並於工作中參考，又將機密資料轉移給晉華，美光因此在臺灣起訴聯電，同年又在美國對聯電、晉華提起訴訟，隨後美國司法部開始調查。
2020年10 月28 日，聯電對竊取美光商業機密一案認罪，遭美國司法部處以6，000 萬美元罰金。
聯電當時指出，在與美國司法部的和解協議中，美國司法部同意撤銷對聯電原來包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業祕密和專利有關等指控。聯電承認侵害一項營業祕密，同意支付美國政府6，000 萬美元的罰金，並在3 年自主管理的緩刑期間內與美國司法部合作。
2021年11月，聯電和美光宣佈達成全球和解協議，雙方將各自撤回向對方提出的訴訟，同時聯電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方將共創商業合作機會。
美光科技表示，其爲創新記憶體和儲存空間解決方案的業界領導者，擁有超過40 年技術引領與創新經驗及總數超過47，000 件的全球專利，積極大幅投資於先進研發及製造。該公司持續推動對於數據經濟至關重要的各項創新，對於智慧財產權的保護則是公司保持競爭力的重要基石。
市場調研公司Counterpoint的報告顯示，目前在全球市佔率中，三星（41.5%）與SK海力士（29.3%）、美光（23.4%）便掌握全球九成份額。反觀國內DRAM企業相對少，目前國內專注於DRAM存儲芯片的合肥長鑫雖然已有所突破，但與國際大廠仍有很大差距。
